Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
50 кГц
Пусковой ток питания
0.4mA
Максимальный ток источника
200mA
Максимальный втекающий ток
200mA
Максимальный ток питания
20 мА
Обнаружение нулевой мощности
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
28 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальная рабочая температура
0 °C
Ширина
4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
12 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
7
P.O.A.
7
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
7 - 7 | P.O.A. |
14 - 28 | P.O.A. |
35 - 63 | P.O.A. |
70 - 133 | P.O.A. |
140+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
50 кГц
Пусковой ток питания
0.4mA
Максимальный ток источника
200mA
Максимальный втекающий ток
200mA
Максимальный ток питания
20 мА
Обнаружение нулевой мощности
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
28 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальная рабочая температура
0 °C
Ширина
4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
12 В