ON Semiconductor KSH127TF Пара Дарлингтона

Код товара RS: 166-2351Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: KSH127TF
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-2 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-10мкА

Высота

2.3мм

Ширина

6.8мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Размеры

6.6 x 6.8 x 2.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor KSH127TF Пара Дарлингтона

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor KSH127TF Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-2 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-10мкА

Высота

2.3мм

Ширина

6.8мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Размеры

6.6 x 6.8 x 2.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.