Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
-2 → -25mA
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
300 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Высота
5.33мм
Ширина
4.19мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
-2 → -25mA
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
300 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Высота
5.33мм
Ширина
4.19мм