Transistor, Fairchild, J105

Код товара RS: 806-1747PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: J105
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

500mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-92

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

160пФ

Емкость исток-затвор

160пФ

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.2мм

Высота

5.33мм

Ширина

4.19мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, Fairchild, J105
Select packaging type

P.O.A.

Transistor, Fairchild, J105
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

500mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-92

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

160пФ

Емкость исток-затвор

160пФ

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.2мм

Высота

5.33мм

Ширина

4.19мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.