Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
MOSFET
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
8
Тип корпуса
PDIP SMD
Типичное время нарастания
60нс
Максимальный ток на входе
25 мА
Напряжение изоляции
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
60нс
Информация о товаре
Optocoupler, IGBT/MOSFET Gate-Drive, Fairchild Semiconductor
Optocouplers, Fairchild Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
MOSFET
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
8
Тип корпуса
PDIP SMD
Типичное время нарастания
60нс
Максимальный ток на входе
25 мА
Напряжение изоляции
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
60нс
Информация о товаре