ON Semiconductor FJP2160DTU Переключаемый эмиттером

Код товара RS: 864-8950Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FJP2160DTU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.95мм

Информация о товаре

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor

Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FJP2160DTU Переключаемый эмиттером
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FJP2160DTU Переключаемый эмиттером
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 45P.O.A.
50 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500 - 995P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.95мм

Информация о товаре

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor

Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.