ON Semiconductor FGD3440G2-F085 IGBT

Код товара RS: 807-0776Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FGD3440G2-F085
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

26,9 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±10V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Информация о товаре

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor

These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FGD3440G2-F085 IGBT
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FGD3440G2-F085 IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 45P.O.A.
50 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

26,9 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±10V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Информация о товаре

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor

These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.