onsemi FGB40T65SPD_F085 IGBT, 40 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 135-8687Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FGB40T65SPD_F085
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

267 W

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

2+Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

1520пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Automotive IGBT, Fairchild Semiconductor

A range of Field Stop Trench IGBTs from Fairchild Semiconductor that have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi FGB40T65SPD_F085 IGBT, 40 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi FGB40T65SPD_F085 IGBT, 40 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

267 W

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

2+Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

1520пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Automotive IGBT, Fairchild Semiconductor

A range of Field Stop Trench IGBTs from Fairchild Semiconductor that have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.