onsemi FGB40T65SPD-F085, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
267 W
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
P
Число контактов
2+Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
1520пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
267 W
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
P
Число контактов
2+Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
1520пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101