ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU IGBT

Код товара RS: 145-4381Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FGA50N100BNTDTU
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1000 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±25V

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU IGBT

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1000 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±25V

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.