N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi FDY302NZ
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,8 нКл при 4,5 В
Ширина
0.98мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.78мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 400 | P.O.A. |
| 500 - 900 | P.O.A. |
| 1000 - 4900 | P.O.A. |
| 5000 - 9900 | P.O.A. |
| 10000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,8 нКл при 4,5 В
Ширина
0.98мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.78мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.