ON Semiconductor FDMS7650DC MOSFET

Код товара RS: 760-5911Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FDMS7650DC
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

289 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

990 мкΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4.85мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

147 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.04мм

Серия

PowerTrench

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FDMS7650DC MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FDMS7650DC MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9P.O.A.
10 - 99P.O.A.
100 - 499P.O.A.
500 - 2999P.O.A.
3000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

289 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

990 мкΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4.85мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

147 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.04мм

Серия

PowerTrench

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.