Dual N-Channel MOSFET, 7 A, 40 V, 8-Pin Power 33 onsemi FDMC8032L
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
Power 33
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
29 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
12 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 10 В
Ширина
3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.75мм
Серия
PowerTrench
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000 - 2990 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
Power 33
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
29 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
12 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 10 В
Ширина
3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.75мм
Серия
PowerTrench
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.