P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
MLP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
2мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.75мм
Информация о товаре
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
MLP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
2мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.75мм
Информация о товаре
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.