Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
10V
Минимальное пробивное напряжение
5.5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DSN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3.3V
Число контактов
2
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
0.625 x 0.325 x 0.207мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.207мм
Ширина
0.325мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Емкость
0.4пФ
Длина
0.625мм
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
10V
Минимальное пробивное напряжение
5.5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DSN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3.3V
Число контактов
2
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
0.625 x 0.325 x 0.207мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.207мм
Ширина
0.325мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Емкость
0.4пФ
Длина
0.625мм
Информация о товаре