DTA114EET1G, SS SC75 BR XSTR PNP 50V
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-416 (SC-75)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
338 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
1
Размеры
1.65 x 0.9 x 0.9мм
Типичный входной резистор
10 кΩ
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 250 - 250 | P.O.A. |
| 500 - 500 | P.O.A. |
| 750 - 1000 | P.O.A. |
| 1250 - 2250 | P.O.A. |
| 2500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-416 (SC-75)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
338 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
1
Размеры
1.65 x 0.9 x 0.9мм
Типичный входной резистор
10 кΩ