Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
420 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
420 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.