N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G

Код товара RS: 545-0135Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS123LT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.94мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 40P.O.A.
50 - 190P.O.A.
200 - 490P.O.A.
500 - 990P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.94мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor