ON Semiconductor BSP50 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 166-3381Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: BSP50
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

50нА

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Длина

6.5мм

PRICED TO CLEAR

Yes

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BSP50 Пара Дарлингтона

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor BSP50 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

50нА

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Длина

6.5мм

PRICED TO CLEAR

Yes

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.