onsemi BF256B N-Channel JFET, Idss 6 → 13mA, 3-Pin TO-92

Код товара RS: 806-1719Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: BF256B
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

6 → 13mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-92

Число контактов

3

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.58мм

Высота

4.58мм

Ширина

3.86мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi BF256B N-Channel JFET, Idss 6 → 13mA, 3-Pin TO-92
Select packaging type

P.O.A.

onsemi BF256B N-Channel JFET, Idss 6 → 13mA, 3-Pin TO-92
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 200P.O.A.
250 - 450P.O.A.
500 - 2450P.O.A.
2500 - 4950P.O.A.
5000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

6 → 13mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-92

Число контактов

3

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.58мм

Высота

4.58мм

Ширина

3.86мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.