Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
6 → 13mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.58мм
Высота
4.58мм
Ширина
3.86мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 200 | P.O.A. |
250 - 450 | P.O.A. |
500 - 2450 | P.O.A. |
2500 - 4950 | P.O.A. |
5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
6 → 13mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.58мм
Высота
4.58мм
Ширина
3.86мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.