ON Semiconductor BD680ASTU Пара Дарлингтона

Код товара RS: 806-7111Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: BD680ASTU
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-4 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

TO-126

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

-80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-2,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-500мкА

Максимальное рассеяние мощности

14 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

8мм

Высота

11мм

Ширина

3.25мм

Размеры

8 x 3.25 x 11мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BD680ASTU Пара Дарлингтона

60

Доступно в кратности 60
60P.O.A.
120P.O.A.
180P.O.A.
240P.O.A.
300P.O.A.
360P.O.A.
420P.O.A.
480P.O.A.
540P.O.A.
600P.O.A.
660P.O.A.
720P.O.A.
780P.O.A.
840P.O.A.
900P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor BD680ASTU Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

60

Доступно в кратности 60
60P.O.A.
120P.O.A.
180P.O.A.
240P.O.A.
300P.O.A.
360P.O.A.
420P.O.A.
480P.O.A.
540P.O.A.
600P.O.A.
660P.O.A.
720P.O.A.
780P.O.A.
840P.O.A.
900P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
60 - 60P.O.A.
120 - 180P.O.A.
240 - 900P.O.A.
960 - 1860P.O.A.
1920+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-4 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

TO-126

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

-80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-2,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-500мкА

Максимальное рассеяние мощности

14 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

8мм

Высота

11мм

Ширина

3.25мм

Размеры

8 x 3.25 x 11мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.