Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
MCPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
690 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 2.1 x 0.85мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
MCPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
690 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 2.1 x 0.85мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.