ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1.2 to 3mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
200 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
4пФ
Емкость исток-затвор
1.1пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Длина
2.9мм
Ширина
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1.2 to 3mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
200 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
4пФ
Емкость исток-затвор
1.1пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Длина
2.9мм
Ширина
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.