Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
NP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5 x 4 x 5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
тг 3 687,75
тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
25
тг 3 687,75
тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 147,51 | тг 3 687,75 |
50 - 100 | тг 143,04 | тг 3 576,00 |
125 - 225 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
250 - 475 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
500+ | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
NP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5 x 4 x 5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C