ON Semiconductor 2SC5551AF-TD-E Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
PCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
3,5 ГГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 10 | P.O.A. |
| 20 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 190 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
PCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
3,5 ГГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C