Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
NMP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
420 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.9 x 2.5 x 4.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
NMP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
420 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.9 x 2.5 x 4.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.