N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 2N7002LG
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
200
P.O.A.
200
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 200 - 200 | P.O.A. |
| 400 - 800 | P.O.A. |
| 1000 - 1800 | P.O.A. |
| 2000 - 3800 | P.O.A. |
| 4000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре