N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 2N7002KW

Код товара RS: 805-1135Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2N7002KW
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 2N7002KW
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 2N7002KW
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
100 - 400P.O.A.
500 - 900P.O.A.
1000 - 4900P.O.A.
5000 - 9900P.O.A.
10000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.