Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.