NXP PRF957,115 NPN Transistor, 100 mA, 10 V, 3-Pin UMT
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
10 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
270 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,5 В
Максимальная рабочая частота
8500 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, NXP
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 190 | P.O.A. |
| 200 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
10 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
270 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,5 В
Максимальная рабочая частота
8500 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре