Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
10 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,5 В
Максимальная рабочая частота
8500 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, NXP
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
12000
P.O.A.
12000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
10 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,5 В
Максимальная рабочая частота
8500 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре