NXP PMBFJ309,215 JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 to 30mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 to 30mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.