Transistor JFET P-Ch 30V 1.5mA TO236AB
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
1.5 to 20mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
300 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
1.5 to 20mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
300 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.