Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
Min. 10mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
18 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 5 | P.O.A. |
10 - 20 | P.O.A. |
25 - 45 | P.O.A. |
50 - 95 | P.O.A. |
100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
Min. 10mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
18 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.