NXP BLT81,115 NPN Transistor, 500 mA, 9.5 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
9,5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2,5 В
Максимальная рабочая частота
900 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, NXP
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 2 145,60
тг 1 072,80 Each (On a Reel of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 145,60
тг 1 072,80 Each (On a Reel of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 2 - 98 | тг 1 072,80 | тг 2 145,60 |
| 100 - 248 | тг 898,47 | тг 1 796,94 |
| 250 - 498 | тг 768,84 | тг 1 537,68 |
| 500 - 998 | тг 670,50 | тг 1 341,00 |
| 1000+ | тг 536,40 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
9,5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2,5 В
Максимальная рабочая частота
900 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, NXP