Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
40 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
2,8 В
Тип корпуса
SOT-343F
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
136 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
10 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1 В
Максимальная рабочая частота
12 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
NPN Transistors, NXP
Bipolar Transistors, NXP
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
40 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
2,8 В
Тип корпуса
SOT-343F
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
136 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
10 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1 В
Максимальная рабочая частота
12 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре