Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
7 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
5 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
32 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
8 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
5000 MHz
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, NXP
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
7 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
5 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
32 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
8 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
5000 MHz
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре