NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 626-2412PБренд: NXPПарт-номер производителя: BF861C,215
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 to 25mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Ширина

1.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 1
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 1
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 to 25mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Ширина

1.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.