NXP BF513,215 JFET

Код товара RS: 166-0536Бренд: NXPПарт-номер производителя: BF513,215
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

10 to 18mA

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Максимальное напряжение сток-затвор

20V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

NXP BF513,215 JFET

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

NXP BF513,215 JFET
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

10 to 18mA

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Максимальное напряжение сток-затвор

20V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.