NXP BF510,215 JFET

Код товара RS: 166-0535Бренд: NXPПарт-номер производителя: BF510,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.7 to 3.0mA

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Максимальное напряжение сток-затвор

20V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

NXP BF510,215 JFET

P.O.A.

NXP BF510,215 JFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.7 to 3.0mA

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Максимальное напряжение сток-затвор

20V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.