NXP BA591,115 Диод, переключающий диапазоны
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPКонфигурация диода
Одинарный
Максимальный прямой ток
100mA
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное обратное напряжение
35V
Тип корпуса
UMD
Диодная технология
Кремниевое соединение
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Максимальная емкость диода
0.9пФ
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.8мм
Ширина
1.35мм
Высота
1.05мм
Размеры
1.8 x 1.35 x 1.05мм
Максимальное последовательное сопротивление при максимальном IF
0.5 Ω @ 10 mA
Информация о товаре
RF Band Switching Diodes, NXP Semiconductors
Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors
NXP offers an extensive range of switching diodes, in different packages and configurations.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
6000
P.O.A.
6000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPКонфигурация диода
Одинарный
Максимальный прямой ток
100mA
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное обратное напряжение
35V
Тип корпуса
UMD
Диодная технология
Кремниевое соединение
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Максимальная емкость диода
0.9пФ
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.8мм
Ширина
1.35мм
Высота
1.05мм
Размеры
1.8 x 1.35 x 1.05мм
Максимальное последовательное сопротивление при максимальном IF
0.5 Ω @ 10 mA
Информация о товаре
RF Band Switching Diodes, NXP Semiconductors
Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors
NXP offers an extensive range of switching diodes, in different packages and configurations.