Nexperia PUMD2,125 Dual NPN/PNP Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Двойная база
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Типичный входной резистор
22 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
1
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Двойная база
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Типичный входной резистор
22 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
1
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм