Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB PSMN3R4-30PL,127

Код товара RS: 798-2959Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN3R4-30PL,127
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.15V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

тг 3 240,75

тг 648,15 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB PSMN3R4-30PL,127
Select packaging type

тг 3 240,75

тг 648,15 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB PSMN3R4-30PL,127

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 648,15тг 3 240,75
50 - 245тг 487,23тг 2 436,15
250 - 495тг 317,37тг 1 586,85
500 - 995тг 286,08тг 1 430,40
1000+тг 281,61тг 1 408,05

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.15V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors