Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
