Nexperia PEMD9,115 Цифровой транзистор

Код товара RS: 151-3363Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PEMD9,115
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Типичный коэффициент резистора

4,7

Резистор база-эмиттер

47кОм

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Типичный входной резистор

10 кΩ

Максимальная рабочая температура

+150 °C

P.O.A.

Nexperia PEMD9,115 Цифровой транзистор

1

Доступно в кратности 4000
1P.O.A.
4001P.O.A.
8001P.O.A.
12001P.O.A.
16001P.O.A.
20001P.O.A.
24001P.O.A.
28001P.O.A.
32001P.O.A.
36001P.O.A.
40001P.O.A.
44001P.O.A.
48001P.O.A.
52001P.O.A.
56001P.O.A.

P.O.A.

Nexperia PEMD9,115 Цифровой транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 4000
1P.O.A.
4001P.O.A.
8001P.O.A.
12001P.O.A.
16001P.O.A.
20001P.O.A.
24001P.O.A.
28001P.O.A.
32001P.O.A.
36001P.O.A.
40001P.O.A.
44001P.O.A.
48001P.O.A.
52001P.O.A.
56001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Типичный коэффициент резистора

4,7

Резистор база-эмиттер

47кОм

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Типичный входной резистор

10 кΩ

Максимальная рабочая температура

+150 °C