Nexperia PEMD30,115 Цифровой транзистор

Код товара RS: 153-2828Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PEMD30,115
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Типичный входной резистор

2,2 кΩ

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia PEMD30,115 Цифровой транзистор

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

Nexperia PEMD30,115 Цифровой транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Типичный входной резистор

2,2 кΩ

Максимальная рабочая температура

+150 °C