Nexperia PEMD12,115 Dual NPN/PNP Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-666

Код товара RS: 153-2903Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PEMD12,115
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Конфигурация транзистора

Двойной

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Типичный коэффициент резистора

1

Резистор база-эмиттер

47кОм

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный входной резистор

47 кΩ

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia PEMD12,115 Dual NPN/PNP Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-666
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Nexperia PEMD12,115 Dual NPN/PNP Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-666
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Конфигурация транзистора

Двойной

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Типичный коэффициент резистора

1

Резистор база-эмиттер

47кОм

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный входной резистор

47 кΩ