Nexperia PDTC114ET,235 NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin TO-236
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
TO-236
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Типичный входной резистор
10 кΩ
Типичный коэффициент резистора
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
TO-236
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Типичный входной резистор
10 кΩ
Типичный коэффициент резистора
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1мм