Nexperia PDTA114EQB-QZ 3 PNP Digital Transistor, -100 mA, -50 V DFN1110D-3

Код товара RS: 243-4634Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PDTA114EQB-QZ
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

DFN1110D-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

3

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia PDTA114EQB-QZ 3 PNP Digital Transistor, -100 mA, -50 V DFN1110D-3

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

Nexperia PDTA114EQB-QZ 3 PNP Digital Transistor, -100 mA, -50 V DFN1110D-3
Информация о наличии не успела загрузиться

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

DFN1110D-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

3