Nexperia PDTA113ZT,215 PNP Digital Transistor, -50 V, 3-Pin SOT
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Резистор база-эмиттер
10кОм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Типичный входной резистор
1 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Резистор база-эмиттер
10кОм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Типичный входной резистор
1 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
10